微电子工程代表项目

---( Fab11芯片生产线)

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

---（Fab4.5.6 12英寸芯片生产线）
    中芯国际（北京）Fab4~6工程，是国内第一条0.13微米 ~ 0.09微米12英寸芯片生产线，达到当今世界先进水平。该项目包括Fab4、Fab5、Fab6C和办公大楼及若干配套建筑物，总建筑面积约为179,858平方米。联合设计单位为：M+Wz、JJP和益鼎工程等。 建设周期：2002-2003年。 该项目已于2004年9月25日正式投产。
　

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
---（Fab8.9.10 厂房）
    中芯国际（上海）Fab8~10项目由月产0.25微米的8英寸芯片生产厂和月产8英寸CIS器件以及配套的测试和封装工厂组成。整个项目建筑面积约为12万平方米。 建设周期：2004-2005年。
　

阜康同创（北京）微电子有限公司

---8英寸集成电路芯片生产线项目

建设时间：2006年

海力士-意法半导体有限公司8/12英寸集成电路大圆片项目
    海力士-意法半导体有限公司是由Hynix和ST直接在江苏无锡出口加工区注册的外商独资公司,其主要产品为8英寸及12英寸集成电路大圆片。该项目建筑面积为32137平方米。 建设周期：2002-2003年。

成都A7T7项目
    成都A7T7项目是世界著名的CPU生产厂商在西部投资建设的最大规模的CPU封装测试工厂。建设周期：2004-2005年。
　

宇芯（成都）集成电路封装测试有限公司
    该项目是马来西亚UNISEM公司在成都高新技术开发区独资新建的宇芯（成都）集成电路封装测试有限公司（Unisem Chengdu Co., Ltd.），总投资9800万美元，建筑面积为46376m2。工厂建成后将于2006年第一季度投产。 建设周期：2004-2006年。
　

     8英寸晶圆制造厂，生产（基于200毫米晶圆的）逻辑片与存储器芯片,采用0.25/0.18的生产工艺,全部投产后，总产量每月4万片。 建设周期：2004-2005年。

江苏南通绿山集成电路有限公司8英寸芯片项目
    南通绿山集成电路有限公司，建筑面积53000平方米，月投片0.25微米30000片。建设周期：2004-2005年。
　

敦南微电子（无锡）有限公司6”晶圆厂
    敦南微电子(无锡)有限公司6英寸芯片工程拟建于无锡国家高新技术产业开发区，主要从事0.5微米6英寸Power MOSFET产品以及ANALOG IC产品（0.5微米、6英寸集成电路芯片）的生产。总建筑面积34509.7平方米。建设时间：2004年。
　

上海松江台积电
    上海松江台积电项目是台湾最大的芯片生产商台积电在大陆投资建设的8英寸~12英寸芯片生产线工程。第一期工程建筑面积17.4万m2。该项目由我院与M+W z公司合作设计。建设周期：2002-2004年。
　

上海华虹NEC微电子有限公司
    中日合资上海华虹NEC微电子有限公司（909工程）是国家“九五”重点建设项目，也是我国投资额最高，建设规模最大，具有世界先进水平的第一条8英寸0.5微米（含扩展至0.35微米）深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。该项目的可行性研究报告荣获全国优秀工程咨询成果一等奖，工程设计水平也处于国内领先地位。 建设周期：1996-1998年。
　

上海贝岭股份有限公司张江科技园8英寸芯片项目
简介：上海贝岭股份有限公司集成电路芯片项目建于张江高科技园区，建筑面积47000平方米，生产规模为月投产20000片8英寸0.25微米集成电路芯片。 建设周期：2001-2002年。
　

和舰科技（苏州）有限公司
    和舰科技（苏州）有限公司位于苏州园区内，建筑面积11257平方米。是台商投资建设的8英寸0.25微米芯片生产线。 建设周期：2001-2002年。
　

摩托罗拉（天津）集成电路生产厂建设工程
    该项目是世界著名跨国公司摩托罗拉独资在亚洲兴建的8英寸集成电路芯片厂。该项目由我院与IDC公司联合设计，荣获信息产业部优秀工程设计一等奖。 建设周期：1998-2001年 。

    现已成为中芯国际Fab-7。
　

宁波中宁微电子有限公司8英寸晶圆生产线项目
    宁波中宁微电子有限公司8英寸晶园生产线项目位于宁波市科技园区高新技术产业示范区A-4地块。一期工程为建筑面积78131.36平方米。建设时间：2004年。
　

无锡上华Fab2 8英寸芯片厂房
    无锡上华Fab2 0.25～0.35微米8英寸芯片厂房位于江苏省无锡市国家高新技术产业开发区，建筑面积130000m2。该项目为我院与台湾中兴公司联合设计。
　

上海先进半导体制造有限公司

---8英寸0.25微米集成电路芯片项目
    上海先进半导体制造有限公司位于上海市西南方向的漕河泾新兴技术开发区内，公司现占地面积37660m2。本项目新建8英寸、0.25微米大规模集成电路芯片代工生产线。总建筑及构筑物面积为24736.5 m2。该项目获信息产业部2004年优秀工程设计一等奖。建设周期：2001-2002年。
　

英泰半导体制造（郑州）有限公司6英寸芯片工程
    英泰半导体制造（郑州）有限公司6英寸芯片工程是我国中原第一条大规模集成电路芯片生产线。
　

首钢日电电子有限公司
    项目总投资260.25亿日元，建筑面积为22321m2，其生产规模为前工序1.2μm 6英寸硅片，月投片量8000片；后工序封装能力为年产IC 5000万块。该项目荣获电子工业部优秀设计一等奖，全国第八届优秀设计银奖。 建设时间：2001年。

　

沈阳科希－硅技半导体技术第一有限公司
    沈阳科希－硅技半导体技术第一有限公司6英寸集成电路芯片生产线项目是该公司重点建设的项目，场地面积231026m2，月投片量10000片，最小线宽达到0.35微米。 建设时间：2003年。
　

乐山菲尼克斯半导体有限公司6英寸集成电路制造项目
    乐山菲尼克斯半导体有限公司（LPS）是中国最大的半导体分离器件封装、测试企业。 我院从事一、二、三期工程的设计,总承包,建设周期：1994-2003年。
　

广州南科
    广州南科是目前华南技术最先进、功能最齐全的半导体项目。该项目将建设一条集成电路硅栅和金属栅生产线，工艺水平达到线宽0.25微米及以下，技术水平达国内先进。建设用地面积为135012.00m2，建筑面积为93393.82 m2。本项目为台资和外资合作的项目。建设时间：2004年。
　

深圳方正微电子有限公司

---6″0.35μm SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目
    深圳方正微电子有限公司6″0.35μm SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目，主要产品包括SiGe芯片和普通Si功率MOS器件芯片。建设用地面积为96000 m2，建筑面积为114842 m2。本项目为合资项目。建设时间：2005年-2006年。
　

无锡华晶微电子公司
    华晶微电子工程设计从我国改革开放后为彩电国产化从日本东芝公司引进的3英寸5µm线性集成电路生产线开始（荣获电子工业部首届优秀工程设计奖、全国第二届优秀工程设计奖），以后又设计了彩电配套分离器件工程（荣获全国第五届优秀工程设计铜奖）。“七.五”期间又完成了科研生产联合体工程设计，建成了5英寸3µm生产线和5英寸2µm引导线等（其中LSI科研开发线荣获全国优秀设计银奖），形成了从CAD设计、制版、芯片封状测试的大型微电子科研生产集团。在“八.五” 期间完成了国家专项集成电路工程（908工程）等设计。该工程见证了我国改革开放后IC产业的历程，同时也是我院在微电子领域的基础工程和开拓性工程。

扬州晶芯微电子有限公司
    扬州晶芯微电子有限公司6英寸功率半导体芯片生产线项目由中日合资兴建，总投资1.5亿美元，建筑面积达16200平方米。设计生产能力为：6英寸芯片月投片量3万片。
　

深圳深爱半导体有限公司（5英寸功率集成电路生产线项目）
    深圳深爱半导体有限公司5英寸功率集成电路生产线项目是2003年度深圳重大工程建设项目。该项目占地面积约100000平方米，新建建筑面积约32000平方米。 建设时间：2001-2004年。
　

深圳赛意法微电子有限公司（STS）二期工程
    深圳赛意法微电子有限公司（STS）二期工程总投资8800万美元，建筑面积15357.5 平方米 ，净化面积12000平方米，年封装能力为40亿只。建设周期：2000-2001年。
　

美国AMD公司苏州半导体测试封装工厂
    美国AMD公司苏州半导体测试封装工厂位于苏州园区，建设规模达22000平方米。是由美国投资，我院承担工程设计和监理的半导体项目。 建设周期：2002-2003年。
　

凤凰半导体通信（苏州）有限公司
    凤凰半导体通信（苏州）有限公司是由韩国在吴江投资新建的、建设规模为１５８００平方米的大型半导体生产基地。
　

苏州三洋半导体有限公司建设项目
    苏州三洋半导体有限公司建设项目位于苏州新区，建设规模达14628平方米。是由日本投资，我院承担设计和监理的半导体项目。
　

美国国家半导体（苏州）有限公司
    美国国家半导体（苏州）有限公司建设项目位于苏州园区，建设规模达50000平方米。是由美国投资，我院承担设计的半导体项目。